SI5479DU-T1-E3

功能描述:MOSFET 12V 16.9A 7.8W

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:650 V

闸/源击穿电压:25 V

漏极连续电流:130 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms

配置:Single

最大工作温度:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:Max247

封装:Tube

热门现货
供应商
型号
数量
厂商
批号
封装
交易说明
询价
QQ
  • SI5479DU-T1-E3
  • 6000
  • VISHAY
  • 全新环保批次
  • QFN
  • 授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 
  • 立即询价
  • SI5479DU-T1-E3
  • 865000
  • VISHAY
  • 18+
  • QFN
  • 代理渠道,原装公司现货 
  • 立即询价
  • SI5479DU-T1-E3
  • 18800
  • 原厂封装
  • 2016+
  • QFN
  • 进口全新原装公司大量现货 
  • 立即询价
  • SI5479DU-T1-E3
  • 18800
  • 原厂封装
  • 2016+
  • QFN
  • 进口全新原装公司大量现货 
  • 立即询价
  • SI5479DU-T1-E3
  • 30000
  • VIS
  • 09+
  • 原厂原封装
  • 原装正品深圳现货热卖 
  • 立即询价
  • SI5479DU-T1-E3
  • 25000
  • VISHAY
  • 18+
  • PPAK1206-8
  • 只做原装假一罚十 
  • 立即询价